정부와 반도체 유관 기관이 첨단 극자외선(EUV) 노광 설비의 국내 도입 심사 절차를 전면 개편했습니다. 기존 수개월 이상 소요되던 고압가스 및 방사선 관련 복합 안전 승인 절차가 혁신적으로 단축됨에 따라 평택과 용인 반도체 클러스터의 신규 팹 가동 시점이 대폭 앞당겨질 전망입니다.
EUV 장비 인허가 단축의 기술적 배경과 규제 합리화
초미세 반도체 양산의 핵심인 EUV 노광 장비는 특수 엑시머 레이저와 복합 고압 가스 시스템, 고출력 플라스마 광원을 함께 사용합니다. 종전 규제 체계에서는 산업통상자원부, 원자력안전위원회, 한국가스안전공사 등 여러 기관의 개별 심사를 거쳐야 했기 때문에 장비 한 대를 반입해 클린룸에 가동하기까지 평균 6개월 이상의 심사 기간이 소요되었습니다.
이번 규제 혁신은 통합 기술 검증 협의체를 구성하여 중복 안전성 평가 항목을 일원화하고, 이미 글로벌 표준 인증(SEMI S2/S8)을 취득한 핵심 모듈에 대해 사전 패스트트랙을 적용하는 것을 골자로 합니다. 이에 따라 신규 EUV 장비 반입부터 시험 가동 승인까지의 소요 기간이 2개월 이내로 대폭 줄어듭니다.
"장비 반입 승인 기간 단축은 단순한 행정 편의를 넘어, 치열한 수율 경쟁과 시장 선점이 필수적인 첨단 파운드리 분야에서 결정적인 시간 경쟁력을 확보해 줍니다."— 한국반도체산업협회 기술정책분과 분석 리포트
차세대 하이 NA EUV 도입 및 팹 수율 안정화 파급 효과
2나노미터 이하 초미세 공정의 승부처가 될 High-NA(고개구율) EUV 장비 역시 이번 간소화 기준을 적용받습니다. 반도체 제조사들은 수조 원 단위의 설비 투자 후 라인 세팅까지 발생하는 유휴 기간을 최소화함으로써 감가상각 부담을 낮추고, 고객사 맞춤형 첨단 칩 생산 라인을 경쟁국 대비 수개월 빠르게 가동할 수 있는 발판을 마련했습니다.
강호동
기술 검증단